Memoria ram pc4 21300 g.skill aegis ddr4 8gb cl19 Gskill

Comprar Memoria ram pc4 21300 g.skill aegis de Gskill

La solución ideal para pcs gaming

llamada así por el poderos escudo de los dioses griegos – aegis simboliza la fuerza y el poder. esta nueva incorporación de memoria ddr4 a la familia de memorias gaming aegis está diseñada para brindar
un rendimiento mejorado y una alta estabilidad en los últimos sistemas de juegos para pc. da el mejor rendimiento de calidad que tu plataforma gaming merece – sin importar el juego. ya sea fps – rts – moba
o mmorpg – ¡deja que la memoria aegis gaming ddr4 sea la fuerza de tu arsenal gaming!

diseñada para gamers

la memoria ddr4 de aegis es compatible con los últimos procesadores intel core y utiliza tecnología de hardware de vanguardia para garantizar el correcto funciónamiento de los juegos más nuevos.

construida para la calidad

construida con la más alta calidad de ics selecciónados a mano y probada con el riguroso proceso de validación de g.skill en todas las principales marcas de placas base – la memoria aegis gaming ddr4
está diseñada para la mejor compatibilidad y estabilidad – la selección más amplia de placas base.

poder eficiente

diseñada con un voltaje bajo de 1.2v ~ 1.35v en el estándar ddr4 – ¡esto reduce el requerimiento de voltaje de memoria en un 20% de los kits de memoria ddr3! ahora tu sistema puede funciónar aún más
rápido sin convertirse en un costoso aparato.

soporte xmp 2.0

programada para los últimos perfiles intel xmp 2.0 – lo único que te separa de un rendimiento extremo – es un simple ajuste.

general
tipo del artículo: gaming
marca: g.skill
part number: f4 – 2666c19s – 8gis
categorías: memorias ram
reacondicionado: no
reposición – etiqueta: no
peso volumetrico 0.03 kg.
memoria
tipo de memoria interna: ddr4
memoria interna: 8 gb
forma de factor de memoria: 288 – pin dimm
frecuencia: 2666 mhz
memory layout (modules x size): 1 x 8 gb
latencia cas: cl19
componente para: pc – server
ecc: no
tipo de memoria: pc4 – 21300
control de energía
voltaje de memoria: 1.2 v